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总站图5实验和模拟的品质因数和发电量(A)Sn1-xPbxSe晶体的ZT值随温度的变化。然而，售卖宽带隙SnSe晶体（~0.86eV）具有优良的电传输性能，因为其层状结构实现更高的面内载流子迁移率μ和多波段使有效质量m*更大。同时，客票实现了一个高性能的热电装置，客票进一步证明了宽带隙SnSe晶体在发电（如收集废热）和电子设备（如作为热电冷却的温度控制器）中的潜在应用前景

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